Bipolartransistor 2SB933-P
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB933-P
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-252
Pinbelegung des 2SB933-P
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB933-P
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