Bipolartransistor 2SD1250A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1250A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1250A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1250A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1250A liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SD1250A-P im Bereich von 100 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1250A-Q-Transistor könnte nur mit "D1250A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1250A-Q ist der 2SB928A-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1250A-Q

Sie können den Transistor 2SD1250A-Q durch einen 2SB928A oder 2SB928A-Q ersetzen.
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