Bipolartransistor 2SD1250A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1250A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SD1250A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1250A kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1250A-P liegt im Bereich von 100 bis 240, die des 2SD1250A-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1250A-Transistor könnte nur mit "D1250A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1250A ist der 2SB928A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1250A

Sie können den Transistor 2SD1250A durch einen 2SB928A ersetzen.
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