Bipolartransistor 2SD1250-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1250-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1250 liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SD1250-Q im Bereich von 60 bis 140.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1250-P-Transistor könnte nur mit "D1250-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1250-P ist der 2SB928-P.Der PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89), PBHV9115Z (SOT-223) und PBHV9215Z (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1250-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SD1250-P durch einen 2SB928, 2SB928-P, 2SB928A, 2SB928A-P, 2SD1250A oder 2SD1250A-P ersetzen.