Bipolartransistor 2SD1193

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1193

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 70 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1193

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1193-Transistor könnte nur mit "D1193" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1193 ist der 2SB883.

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