Bipolartransistor 2SC3076-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3076-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SC3076-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3076-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3076 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SC3076-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3076-O-Transistor könnte nur mit "C3076-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3076-O ist der 2SA1241-O.

SMD-Version des Transistors 2SC3076-O

Der 2SC2873 (SOT-89), 2SC2873-O (SOT-89), 2SC3444 (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BCP55-10 (SOT-223), BCX55 (SOT-89) und BCX55-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SC3076-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3076-O

Sie können den Transistor 2SC3076-O durch einen 2SC3074, 2SC3074-O, 2SC3303, 2SC3303-O, 2SD1221, 2SD1252, 2SD1252-Q, 2SD1252A, 2SD1252A-Q, 2SD1253, 2SD1253-Q, 2SD1253A, 2SD1253A-Q, 2SD1254, 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257, 2SD1257A, KTC2022D oder KTC2022D-Y ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com