Bipolartransistor 2SC3076

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3076

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SC3076

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3076 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3076-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC3076-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3076-Transistor könnte nur mit "C3076" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3076 ist der 2SA1241.

SMD-Version des Transistors 2SC3076

Der 2SC2873 (SOT-89), 2SC3444 (SOT-89), BCP55 (SOT-223) und BCX55 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SC3076-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3076

Sie können den Transistor 2SC3076 durch einen 2SC3074, 2SC3303, 2SD1221, 2SD1252, 2SD1252A, 2SD1253, 2SD1253A, 2SD1254, 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257, 2SD1257A oder KTC2022D ersetzen.
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