Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2001-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.6 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2001-M
Der 2SC2001-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2001-M kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2001 liegt im Bereich von 90 bis 400, die des 2SC2001-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC2001-L im Bereich von 135 bis 270.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2001-M-Transistor könnte nur mit "C2001-M" gekennzeichnet sein.
SMD-Version des Transistors 2SC2001-M
Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), KSC2859 (SOT-23), KTC3876 (SOT-23) und KTC3876S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2001-M-Transistors.
