Bipolartransistor 2SB930-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB930-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB930 liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SB930-Q im Bereich von 70 bis 150.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB930-P-Transistor könnte nur mit "B930-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB930-P ist der 2SD1253-P.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB930-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SB930-P durch einen 2SB930A, 2SB930A-P, 2SB932, 2SB933 oder 2SB934 ersetzen.