Bipolartransistor 2SB929A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB929A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB929A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB929A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB929A liegt im Bereich von 70 bis 250.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB929A-Q-Transistor könnte nur mit "B929A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB929A-Q ist der 2SD1252A-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB929A-Q

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB929A-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB929A-Q

Sie können den Transistor 2SB929A-Q durch einen 2SB930A, 2SB930A-Q oder KTA1042D ersetzen.
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