Bipolartransistor 2SB648

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 1 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB648 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB648-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB648-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB648-D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB648-Transistor könnte nur mit "B648" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB648 ist der 2SD668.Sie können den Transistor 2SB648 durch einen 2SA1021, 2SA1220, 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1380, 2SA1404, 2SA1405, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1538, 2SA1539, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, 2SB631K, 2SB649, HSB1109, KSA1220 oder KSA1220A ersetzen.