Bipolartransistor 2SB1508-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1508-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1508-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1508-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1508 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1508-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1508-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1508-Q-Transistor könnte nur mit "B1508-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1508-Q ist der 2SD2281-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1508-Q

Sie können den Transistor 2SB1508-Q durch einen 2SB1509 oder 2SB1509-Q ersetzen.
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