Bipolartransistor 2SB1509

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1509

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1509

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1509 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1509-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1509-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1509-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1509-Transistor könnte nur mit "B1509" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1509 ist der 2SD2282.
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