Bipolartransistor 2SB1507-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1507-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1507-S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1507-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1507 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1507-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1507-R im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1507-S-Transistor könnte nur mit "B1507-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1507-S ist der 2SD2280-S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1507-S

Sie können den Transistor 2SB1507-S durch einen 2SB1508, 2SB1508-S, 2SB1509 oder 2SB1509-S ersetzen.
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