Bipolartransistor 2SB1417A-P
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1417A-P
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
- Verlustleistung, max: 15 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: MT-4
Pinbelegung des 2SB1417A-P
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors 2SB1417A-P
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com