Bipolartransistor 2SB1417A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1417A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-4

Pinbelegung des 2SB1417A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1417A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1417A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB1417A-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1417A-Transistor könnte nur mit "B1417A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1417A ist der 2SD2137A.

SMD-Version des Transistors 2SB1417A

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1417A-Transistors.
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