Bipolartransistor 2SB1270-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1270-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-262

Pinbelegung des 2SB1270-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1270-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1270 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1270-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1270-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1270-R-Transistor könnte nur mit "B1270-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1270-R ist der 2SD1906-R.

SMD-Version des Transistors 2SB1270-R

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1270-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1270-R

Sie können den Transistor 2SB1270-R durch einen 2SB1271 oder 2SB1271-R ersetzen.
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