Bipolartransistor 2SB1270-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-262

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1270-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1270 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1270-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1270-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1270-Q-Transistor könnte nur mit "B1270-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1270-Q ist der 2SD1906-Q.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1270-Q-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1270-Q durch einen 2SB1271 oder 2SB1271-Q ersetzen.