Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1159-S
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SB1159-S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1159-S kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1159 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1159-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1159-Q im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1159-S-Transistor könnte nur mit "B1159-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1159-S ist der 2SD1714-S.
