Bipolartransistor 2SA1987-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1987-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -230 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -230 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 180 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SA1987-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1987-O kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1987 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SA1987-R im Bereich von 55 bis 100.

Kennzeichnung

Der 2SA1987-O-Transistor ist als "2SA1987-O" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1987-O ist der 2SC5359-O.
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