Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1143-U
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1143-U
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1143-U kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1143 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1143-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1143-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1143-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1143-U-Transistor könnte nur mit "B1143-U" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1143-U ist der 2SD1683-U.