Bipolartransistor 2SB1109-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1109-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1109-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1109-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1109 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB1109-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1109-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1109-D-Transistor könnte nur mit "B1109-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1109-D ist der 2SD1609-D.

Transistor 2SB1109-D im TO-92-Gehäuse

Der HSB1109S-D ist die TO-92-Version des 2SB1109-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1109-D

Sie können den Transistor 2SB1109-D durch einen 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA1477, 2SA1478, 2SA1478-F, 2SA1479, 2SA1479-F, 2SA1480, 2SA1480-F, 2SA1507, 2SA1540, 2SA1540-F, 2SA1541, 2SA1541-F, 2SA795A, 2SB1110, 2SB1110-D, HSB1109, HSB1109-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KSA1381 oder KSA1381-F ersetzen.
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