Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1109-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 1.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1109-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1109-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1109 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB1109-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB1109-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1109-D-Transistor könnte nur mit "B1109-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1109-D ist der 2SD1609-D.
Transistor 2SB1109-D im TO-92-Gehäuse
Der HSB1109S-D ist die TO-92-Version des 2SB1109-D.
