Bipolartransistor 2SB1054-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1054-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1054-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1054-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1054 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB1054-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1054-Q im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1054-R-Transistor könnte nur mit "B1054-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1054-R ist der 2SD1485-R.

SMD-Version des Transistors 2SB1054-R

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1054-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1054-R

Sie können den Transistor 2SB1054-R durch einen 2SB1055, 2SB1055-R, 2SB1056, 2SB1056-R, 2SB1057 oder 2SB1057-R ersetzen.
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