Bipolartransistor 2SB1056-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1056-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1056 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB1056-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1056-Q im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1056-R-Transistor könnte nur mit "B1056-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1056-R ist der 2SD1487-R.Sie können den Transistor 2SB1056-R durch einen 2SB1057 oder 2SB1057-R ersetzen.