Bipolartransistor 2SA1625-M

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1625-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1625-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1625 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SA1625-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1625-L im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1625-M-Transistor könnte nur mit "A1625-M" gekennzeichnet sein.Der KSA1625-M ist die TO-92-Version des 2SA1625-M.Sie können den Transistor 2SA1625-M durch einen KSA1625 oder KSA1625-M ersetzen.