Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1625-L
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1625-L
Der 2SA1625-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1625-L kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1625 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SA1625-K im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1625-M im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1625-L-Transistor könnte nur mit "A1625-L" gekennzeichnet sein.
Transistor 2SA1625-L im TO-92-Gehäuse
Der KSA1625-L ist die TO-92-Version des 2SA1625-L.
