Bipolartransistor 2SA1319-S

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1319-S

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.7 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1319-S

Der 2SA1319-S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1319-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1319 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1319-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1319-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1319-S-Transistor könnte nur mit "A1319-S" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1319-S ist der 2SC3332-S.

SMD-Version des Transistors 2SA1319-S

Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1319-S-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1319-S

Sie können den Transistor 2SA1319-S durch einen 2SA1275, KSA1013 oder KTA1275 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com