Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1319-R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
Verlustleistung, max: 0.7 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1319-R
Der 2SA1319-R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1319-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1319 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1319-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1319-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1319-R-Transistor könnte nur mit "A1319-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1319-R ist der 2SC3332-R.
SMD-Version des Transistors 2SA1319-R
Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1319-R-Transistors.
