Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1017G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1017G
Der 2SA1017G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1017G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1017 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SA1017E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1017F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1017G-Transistor könnte nur mit "A1017G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1017G ist der 2SC2363G.
SMD-Version des Transistors 2SA1017G
Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1017G-Transistors.
