Bipolartransistor 2SA1017

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 110 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SA1017 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1017 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1017E liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1017F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SA1017G im Bereich von 280 bis 560.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1017-Transistor könnte nur mit "A1017" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1017 ist der 2SC2363.