Bipolartransistor 2N6729

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6729

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-237

Pinbelegung des 2N6729

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6729 ist der 2N6717.

SMD-Version des Transistors 2N6729

Der BCP53 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N6729-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6729

Sie können den Transistor 2N6729 durch einen 2N6730 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com