Bipolartransistor 2N6717
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6717
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-237
Pinbelegung des 2N6717
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors 2N6717
Transistor 2N6717 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6717
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