Bipolartransistor 2N6715

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6715

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-237

Pinbelegung des 2N6715

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6715 ist der 2N6727.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6715

Sie können den Transistor 2N6715 durch einen 2N6716 oder 2N6717 ersetzen.
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