Bipolartransistor 2N6519
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6519
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2N6519
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors 2N6519
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6519
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