Bipolartransistor 2N6516

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N6516 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6516 ist der 2N6519.Der KST42 (SOT-23), MMBTA42 (SOT-23) und PZTA42 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N6516-Transistors.Sie können den Transistor 2N6516 durch einen 2N6517, KSP42, MPSA42, MPSW42 oder MPSW42G ersetzen.