Bipolartransistor 2N6420
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6420
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -175 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-66
Pinbelegung des 2N6420
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors 2N6420
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6420
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