Bipolartransistor 2N3583
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3583
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 175 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-66
Pinbelegung des 2N3583
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors 2N3583
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3583
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