Bipolartransistor 2N6339G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6339G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N6339G ist die bleifreie Version des 2N6339-Transistors

Pinbelegung des 2N6339G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6339G

Sie können den Transistor 2N6339G durch einen 2N6339, 2N6340, 2N6340G, 2N6341 oder 2N6341G ersetzen.
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