Bipolartransistor 2N6339G
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6339G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der 2N6339G ist die bleifreie Version des 2N6339-Transistors
Pinbelegung des 2N6339G
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6339G
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