Bipolartransistor 2N6339

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6339

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6339

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6339 ist der 2N6437.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6339

Sie können den Transistor 2N6339 durch einen 2N6339G, 2N6340, 2N6340G, 2N6341 oder 2N6341G ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6339G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6339.
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