Bipolartransistor 2N5812

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.75 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 500
• Übergangsfrequenz, min: 135 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5812 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5812 ist der 2N5813.Sie können den Transistor 2N5812 durch einen BC337 oder BC338 ersetzen.