Bipolartransistor BC338

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC338

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC338

Der BC338 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC338 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC338-16 liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BC338-25 im Bereich von 160 bis 400, die des BC338-40 im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC338 ist der BC328.

SMD-Version des Transistors BC338

Der BC818 (SOT-23), BC818W (SOT-323) und BCX20 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC338-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC338

Sie können den Transistor BC338 durch einen BC337 ersetzen.
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