Bipolartransistor 2N5367

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5367

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N5367

Der 2N5367 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5367

Sie können den Transistor 2N5367 durch einen 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB1116, 2SB1229, 2SB560, 2SB892, 2SB985, KSB1116, KSB1116S oder NTE193A ersetzen.
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