Bipolartransistor 2N5367
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5367
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
- Verlustleistung, max: 0.625 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 500
- Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2N5367
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5367
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