Bipolartransistor 2N5088

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5088

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 3 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 900
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Rauschzahl, max: 3 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N5088

Der 2N5088 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N5088

Der MMBT5088 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5088-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5088

Sie können den Transistor 2N5088 durch einen KSP05, KTC9014, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPSA05, MPSA05G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05, MPSW05G, S9014, SS9014 oder ZTX690B ersetzen.
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