Bipolartransistor MMBT5088
Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT5088
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 3 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 900
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Rauschzahl, max: 3 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Pinbelegung des MMBT5088
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT5088
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