Bipolartransistor 2N5069

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5069

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 87.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5069

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5069 ist der 2N4903.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5069

Sie können den Transistor 2N5069 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5630, 2N5633, 2N5671, 2N5672, 2N5759, 2N5870, 2N5874, 2N5878, 2N5882, 2N5886, 2N5886G, 2N6316, 2N6472, 2SC1619, KD503, MJ14002, MJ14002G oder MJ2841 ersetzen.
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