Bipolartransistor 2N5759

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5759

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5759

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5759

Sie können den Transistor 2N5759 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5630, 2N5633, 2N5672, BUY69C oder BUY70C ersetzen.
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