Bipolartransistor 2N5067

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5067

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 87.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5067

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5067 ist der 2N4901.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5067

Sie können den Transistor 2N5067 durch einen 2N5068, 2N5069, 2N5869, 2N5870, 2N5873, 2N5874, 2N5877, 2N5878, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6315, 2N6316, 2N6470, 2N6471, 2N6472, 2SC1618, 2SC1619, BDW51, KD501, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ2840 oder MJ2841 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com