Bipolartransistor 2N5050

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5050

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 125 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 125 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N5050

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5050

Sie können den Transistor 2N5050 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5051, 2N5052, BUY69C, BUY70C, MJ15001, MJ15001G, MJ15003, MJ15003G, MJ15011 oder MJ15011G ersetzen.
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