Bipolartransistor 2N5051
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5051
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
- Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N5051
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5051
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