Bipolartransistor 2N4299

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4299

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 350 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N4299

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N4299

Sie können den Transistor 2N4299 durch einen 2N3739, 2N4240 oder 2N4296 ersetzen.
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